[发明专利]去除光罩上粘性污染颗粒的方法在审
| 申请号： | 201310738660.5 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104749875A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 施维;汤轶飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/80 | 分类号： | G03F1/80;G03F1/82;G03F1/76 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种去除光罩上粘性污染颗粒的方法，该方法包括：对所形成的光罩图形进行检测，当发现有粘性污染颗粒时，在光罩表面涂布光阻胶层，并对所述光阻胶层进行曝光显影，形成图案化的光阻胶层，所述图案化的光阻胶层覆盖光罩上的铬层；采用包括氧气和氯气的等离子体刻蚀方法，去除光罩上的粘性污染颗粒。采用本发明能够去除光罩上粘性污染颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 光罩上 粘性 污染 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
一种去除光罩上粘性污染颗粒的方法，该方法包括：对所形成的光罩图形进行检测，当发现有粘性污染颗粒时，在光罩表面涂布光阻胶层，并对所述光阻胶层进行曝光显影，形成图案化的光阻胶层，所述图案化的光阻胶层覆盖光罩上的铬层；采用包括氧气和氯气的等离子体刻蚀方法，去除光罩上的粘性污染颗粒。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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