[发明专利]薄膜沉积设备在审
| 申请号： | 201310738693.X | 申请日： | 2013-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104746026A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 田立飞;耿波;文莉辉;张同文;王厚工;丁培军 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜沉积设备，其包括反应腔室、激励电源和可变电容；反应腔室包括承载装置和靶材；靶材设置于反应腔室的顶部，且与激励电源电连接；承载装置设于反应腔室内，且位于与靶材相对应的位置处，用于承载基片；可变电容的一端与承载装置连接，另一端接地。上述薄膜沉积设备可以通过改变可变电容的电容值来控制沉积至基片上的薄膜的沉积速率；并且，在其控制的不同薄膜沉积速率下，沉积至基片上的薄膜的性能保持基本不变。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 设备 | ||
【主权项】：
一种薄膜沉积设备，包括反应腔室和激励电源；所述反应腔室包括承载装置和靶材；所述靶材设置于所述反应腔室的顶部，且与所述激励电源电连接；所述承载装置设于所述反应腔室内，且位于与所述靶材相对应的位置处，用于承载基片；其特征在于，所述薄膜沉积设备还包括可变电容，所述可变电容的一端与所述承载装置连接，另一端接地。
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