[发明专利]原子层沉积设备

摘要

本发明提供一种原子层沉积设备，该等离子体辅助原子层沉积设备包括至少一个工艺腔室、多个前驱体源和用于承载并运输沉积基底的传送带，所述传送带穿过所述工艺腔室，多个所述前驱体源包括第一前驱体源，其中，所述原子层沉积设备还包括第一等离子处理装置，每个所述工艺腔室都包括等离子体辅助反应段，所述第一等离子处理装置能够对所述第一前驱体源提供的第一前驱体进行等离子解离，并且所述第一等离子处理装置将所述第一前驱体源与所述等离子体辅助反应段连通。利用第一等离子处理装置对第一前驱体源提供的第一前驱体进行解离后，可以降低原子层沉积所需要的温度。并且，本发明所提供的原子层沉积设备具有较高的生产效率。

主权项

一种原子层沉积设备，所述原子层沉积设备包括至少一个工艺腔室、多个前驱体源和用于承载并运输沉积基底的传送带，所述传送带穿过所述工艺腔室，多个所述前驱体源包括第一前驱体源，其特征在于，所述原子层沉积设备还包括第一等离子处理装置，每个所述工艺腔室都包括等离子体辅助反应段，所述第一等离子处理装置能够对所述第一前驱体源提供的第一前驱体进行等离子解离，并且所述第一等离子处理装置将所述第一前驱体源与所述等离子体辅助反应段连通。