[发明专利]硅基单电子晶体管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201310739670.0 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103681829A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 郭奥;任铮;胡少坚;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基单电子晶体管结构，包括：SOI衬底；源极、漏极与控制栅极，分别形成于衬底上；硅鳍结构或硅纳米线，形成于衬底上，其两端分别连接源极、漏极；分立栅极，包括第一支部和第二支部，第一支部与第二支部以控制栅极隔开。其同时具有场效应晶体管和单电子晶体管的功能，且其制备工艺可与现有的CMOS工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基单 电子 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基单电子晶体管结构，包括：SOI衬底；源极、漏极与控制栅极，分别形成于所述衬底上；硅鳍结构或硅纳米线，形成于所述衬底上，其两端分别连接所述源极、漏极；分立栅极，包括第一支部和第二支部，所述第一支部与第二支部以所述控制栅极隔开。
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