[发明专利]导电孔阵列图形的形成方法在审
| 申请号： | 201310739672.X | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752319A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 李天慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种导电孔阵列图形的形成方法，包括以原始导电孔阵列图形为基础，形成具有多个辅助导电孔图形的新导电孔阵列图形，在新导电孔阵列图形中，每一原始导电孔图形均具有相同的光强信息分布；以新导电孔阵列图形为基础，制作第一掩模板和第二掩模板，其中，第一掩模板用于曝光形成新导电孔阵列图形，第二掩模板用于曝光形成第二掩模层；以第二掩模板为掩模曝光形成第二掩模层，第二掩模层覆盖晶圆用于形成辅助导电孔图形的区域，并暴露出晶圆用于形成原始导电孔阵列图形的区域；形成第二掩模层后，以第一掩模板为掩模曝光形成第一掩模层；以第一掩模层和第二掩模层为掩模，刻蚀晶圆形成实际的导电孔阵列图形。形成的实际的导电孔图形的质量好。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 阵列 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种导电孔阵列图形的形成方法，其特征在于，包括：提供原始导电孔阵列图形，所述原始导电孔阵列图形中具有多个原始导电孔图形；以所述原始导电孔阵列图形为基础，形成具有多个辅助导电孔图形的新导电孔阵列图形，在所述新导电孔阵列图形中，每一原始导电孔图形均具有相同的光强信息分布；以所述新导电孔阵列图形为基础，制作第一掩模板和第二掩模板，其中，所述第一掩模板用于曝光形成新导电孔阵列图形，所述第二掩模板用于曝光形成第二掩模层；以所述第二掩模板为掩模曝光形成第二掩模层，所述第二掩模层覆盖晶圆用于形成辅助导电孔图形的区域，并暴露出晶圆用于形成原始导电孔阵列图形的区域；形成第二掩模层后，以所述第一掩模板为掩模曝光形成第一掩模层；以所述第一掩模层和第二掩模层为掩模，刻蚀晶圆形成实际的导电孔阵列图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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