[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括提供晶圆，晶圆分为器件区和晶圆边缘；在晶圆上形成第一介质层；在第一介质层中形成对应器件区的第一接触孔、和对应晶圆边缘的第二接触孔；形成导电层，导电层覆盖第一介质层、填充满第一接触孔，并填充第二接触孔，第二接触孔中的导电层具有连通第二接触孔开口和底部的孔洞；形成填充层，填充层覆盖导电层、填充满孔洞；去除第一介质层上的导电层和填充层，第一接触孔中剩余的导电层作为第一层插塞层，第二接触孔中剩余的填充层和导电层作为第一层伪插塞层。第一层伪插塞层能够承受较大的应力，多层伪插塞层和伪金属层不会出现剥落现象。这样，第一介质层的绝缘隔离性能较佳。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆分为器件区和晶圆边缘；在所述晶圆上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成对应器件区的第一接触孔、和对应晶圆边缘的第二接触孔；形成导电层，所述导电层覆盖第一介质层、填充满所述第一接触孔，并填充所述第二接触孔，所述第二接触孔中的导电层部分具有连通第二接触孔开口和底部的孔洞；形成填充层，所述填充层覆盖所述导电层、填充满所述孔洞；去除所述第一介质层上的导电层部分和填充层部分，所述第一接触孔中剩余的导电层作为第一层插塞层，所述第二接触孔中剩余的填充层和导电层作为第一层伪插塞层。