[发明专利]金属氧化物半导体器件和制作方法有效
| 申请号： | 201310739748.9 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103904116B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 伊藤明 | 申请（专利权）人： | 安华高科技通用IP(新加坡)公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属氧化物半导体器件和制作方法，具体提供了一种半导体器件，包括嵌入在半导体衬底中的第一阱和第二阱。所述半导体器件进一步包括在第二阱之上并与该第二阱接触并且与栅极结构分离的凸起型漏极结构。所述凸起型漏极结构包括在第二阱的表面之上的漏极连接点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一阱，嵌入在半导体衬底中；第二阱，嵌入在所述半导体衬底中；栅极结构，在所述第一阱和所述第二阱之上；以及凸起型漏极结构，包括高度掺杂的漏极HDD，在所述第二阱之上并与所述第二阱接触并且与所述栅极结构分开，所述凸起型漏极结构还包括直接设置在所述HDD之上的漏极硅化物层，其中，所述第二阱包括第一浅沟槽绝缘STI区域和设置在所述凸起型漏极结构一边上的第二STI区域，所述第一STI区域与所述栅极结构接触；其中，所述HDD至少部分在所述第二阱上表面之上，以使所述漏极硅化物层在所述第二STI域之上且与所述第二STI域分离。
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