[发明专利]Ni纳米线、NiO/Ni自支撑膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310740240.0 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103762356A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 高义华;刘逆霜;马文真;李建 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/52 | 分类号： | H01M4/52;C01G53/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ni纳米线、NiO/Ni自支撑膜及其制备方法和应用。所述Ni纳米线为平均长度50,000至200,000nm的超长纳米线；其制备方法为：首先配置Ni纳米线液相生长液；然后在外加磁场下制备Ni纳米线单质；最后分离纯化Ni纳米线。所述NiO/Ni自支撑膜包括所述Ni纳米线及其煅烧制得的表面为NiO的Ni纳米线；其制备方法为：首先将所述Ni纳米线分散在表面活性剂溶液中；然后抽滤将Ni纳米线转移到微孔滤膜上，制得Ni自支撑膜；最后将Ni自支撑膜含氧气氛下煅烧得到NiO/Ni自支撑膜。本发明提供的NiO/Ni自支撑膜，柔韧性和电化学性能良好，能作为超级电容活性材料，成本低，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | ni 纳米 nio 支撑 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种Ni纳米线，其特征在于，所述Ni纳米线平均直径在200nm至300nm之间，平均长度在50,000nm至200,000nm之间。
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