[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201310740303.2 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752322A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 戚德奎;李新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供基底，所述基底中形成有元器件以及位于所述元器件上方的互连结构；在基底上形成苯并环丁烯或聚亚醯胺的介电层；在介电层中形成金属焊盘，以和所述互连结构相连接；将包含所述介电层和所述金属焊盘的两晶圆接合。在本发明中为了解决现有技术中存在的问题，在晶圆水平上的Cu-Cu接合的工艺中选用新的材料作为介质层，选用苯并环丁烯（Benzocyclobutene，BCB）或聚亚醯胺（polyimide）作为介质层，来实现上下晶圆之间的接合，在接合（bonding）过程中上下晶圆的BCB能熔合在一起，形成无空隙（void free）的接合（bonding pair），提高接合质量（bonding quality）。BCB可作为阻挡层，可以彻底解决晶圆之间金属扩散（例如Cu diffuse）的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底中形成有元器件以及位于所述元器件上方的互连结构；在所述基底上形成苯并环丁烯或聚亚醯胺的介电层；在所述介电层中形成金属焊盘，以和所述互连结构相连接；将包含所述介电层和所述金属焊盘的两晶圆接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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