[发明专利]锗硅纳米低维结构的可控制备方法及产品有效
| 申请号： | 201310740548.5 | 申请日： | 2013-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103928297A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 曾成;夏金松;张永 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅纳米低维结构可控制备方法及产品，该方法具体为：(a)清洗硅衬底；(b)在硅衬底上外延生长锗硅合金形成外延衬底；(c)涂敷电子抗蚀剂，通过电子束光刻技术在电子抗蚀剂上曝光所需的锗硅纳米低维结构图形；(d)采用干法刻蚀将锗硅纳米低维结构图形转移到外延衬底上得到样品；(e)去除样品上的电子抗蚀剂；(f)高温环境下进行氧化和退火，使得氧气优先与硅反应形成氧化硅而锗被析出；(g)在氮氢混合气氛下退火处理，形成锗硅纳米低维结构。本发明方法实现了锗硅纳米低维结构尺寸、形貌、位置及组分的可控制备，并具有工艺难度低、可重复性高、易于大规模集成等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 可控 制备 方法 产品 | ||
【主权项】：
一种锗硅纳米低维结构的可控制备方法，(a)清洗硅衬底；(b)在硅衬底上外延生长锗硅合金形成外延衬底；(c)涂敷电子抗蚀剂，通过电子束光刻技术在电子抗蚀剂上曝光所需的锗硅纳米低维结构图形；(d)采用干法刻蚀将锗硅纳米低维结构图形转移到外延衬底上得到样品；(e)去除样品上的电子抗蚀剂；(f)高温环境下进行氧化和退火，使得硅优先被氧化形成氧化硅而锗被析出；(g)在氮氢混合气氛下退火处理，形成锗硅纳米低维结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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