[发明专利]一种制备CIGS太阳能电池的方法有效
申请号: | 201310740599.8 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103681975B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 陈进中;莫经耀;吴伯增;林东东;甘振英 | 申请(专利权)人: | 柳州百韧特先进材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州凯东知识产权代理有限公司44259 | 代理人: | 姚迎新 |
地址: | 545006 广西壮族自治区*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明涉及CIGS太阳能电池,具体说是一种制备CIGS太阳能电池的方法,其包括在基板上溅镀钼电极层、将具有钼电极层的基板置于真空室内,并正向推动基板,在基板上溅镀CIGS吸收层、反向推动基板,在吸收层上溅镀CdS缓冲层、并在缓冲层上镀上ZnO导电氧化层、在导电氧化层上镀上AZO层、切割封装。本发明通过基板的正向移动,溅镀吸收层;基板反向移动,溅镀缓冲层,不仅提高了生产效率,而且节省了空间,降低了生产成本。本发明有效控制了CIGS吸收层的溅镀,并精确控制了各层的厚度,生产的产品质量好。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 cigs 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
一种制备CIGS太阳能电池的方法,其包括以下步骤:(1)在基板上溅镀钼电极层;(2)将具有钼电极层的基板置于真空室内,并正向推动基板,在基板上溅镀CIGS吸收层;(3)反向推动基板,在吸收层上溅镀CdS缓冲层;(4)将具有缓冲层的基板从真空室内取出,并在缓冲层上镀上ZnO导电氧化层;(5)在导电氧化层上镀上AZO层;(6)切割封装;在所述真空室内位于基板上侧设置有吸收层靶材、缓冲层靶材和与靶材对应的溅射源,溅射源通过分别轰击两靶材,在基板上溅镀吸收层和缓冲层;所述吸收层靶材和缓冲层靶材设置于同一个旋转体上,旋转体内设有溅射源,通过转动旋转体切换吸收层靶材和缓冲层靶材;所述基板采用碱性钠钙玻璃;所述钼电极层表面呈鱼鳞状,厚度为0.5‑‑1.5μm;所述吸收层靶材由CIGS粉末压制而成;所述吸收层的厚度为1.5‑‑2.0μm,缓冲层的厚度为0.05μm;所述导电氧化层采用磁控溅镀法制备,其厚度为0.05μm; AZO层厚度为0.5‑‑1.5μm。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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