[发明专利]一种非易失性存储器的编程方法有效
| 申请号： | 201310741017.8 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104751883B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 胡洪;薛子恒 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器的编程方法，包括：对非易失性存储器的预编程区域的编程指令进行译码；判断编程指令是否发生在对非易失性存储器的暂停擦除操作的过程中，如果没有发生在暂停擦除操作的过程中，则对预编程区域进行编程校验和编程操作，否则，判断预编程区域的地址与擦除操作对应的擦除区域的地址是否在同一个物理存储块；如果是，则对擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作；如果不是或者对擦除区域的过擦除修复操作结束后，则对预编程区域进行编程校验和编程操作。本发明能够消除由于过擦除产生的漏电流对编程过程的影响，从而保证了编程过程的正确性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器的编程方法，其特征在于，包括：对所述非易失性存储器的预编程区域的编程指令进行译码；判断所述编程指令是否发生在暂停擦除操作的过程中，如果没有发生在所述暂停擦除操作的过程中，则对所述预编程区域进行编程校验和编程操作，其中，所述编程校验的方法为将所述预编程区域的预编程单元的阈值电压与所述编程校验的基准电压进行比较；如果发生在所述暂停擦除操作的过程中，则判断所述预编程区域的地址与所述擦除操作对应的擦除区域的地址是否在同一个物理存储块；如果是在所述同一个物理存储块，则对所述擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作，其中，所述过擦除校验的方法为将所述擦除区域的修复单元的阈值电压与所述过擦除校验的基准电压进行比较，所述过擦除修复操作是将所述擦除区域的修复单元中的过擦除单元变成正常的擦除单元的操作；如果不是在所述同一个物理存储块或者对所述擦除区域的过擦除修复操作结束后，则对所述预编程区域进行编程校验和编程操作。
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