[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310741264.8 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103915531A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 名古肇;木村重哉;原田佳幸;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体发光元件及其制造方法。根据一实施例，半导体发光元件包括其中包括氮化物半导体的n型半导体层、p型半导体层和发光层。所述p型半导体层包括其中包括Mg的Alx1Ga1-x1N(0≤x1<1)的第一p侧层，包括Mg的Alx2Ga1-x2N(0<x2<1)的第二p侧层，以及包括Mg的Alx3Ga1-x3N(x2<x3<1)的第三p侧层。所述发光层被提供在所述n型半导体层和所述第二p侧层之间。发光层包括势垒层以及阱层。每一个阱层被提供在所述势垒层之间。势垒层中与第二p侧层最靠近的p侧势垒层包括Alz1Ga1-z1N(0≤z1)的第一层以及Alz2Ga1-z2N(z1<z2<x2)的第二层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，包括：包括氮化物半导体的n型半导体层；p型半导体层，包括：包括Mg的Alx1Ga1‑x1N(0≤x1<1)的第一p侧层，在所述第一p侧层和所述n型半导体层之间提供的包括Mg的Alx2Ga1‑x2N(0<x2<1)的第二p侧层，以及在所述第一p侧层和所述第二p侧层之间提供的包括Mg的Alx3Ga1‑x3N(x2<x3<1)的第三p侧层；以及在所述n型半导体层和所述第二p侧层之间提供的发光层，所述发光层包括多个势垒层和分别在所述势垒层之间提供的多个阱层，所述势垒层中最邻近所述第二p侧层的p侧势垒层包括Alz1Ga1‑z1N(0≤z1)的第一层，以及在所述第一层和所述第二p侧层之间提供的接触所述第一层和所述第二p侧层的Alz2Ga1‑z2N(z1<z2<x2)的第二层，所述p侧势垒层的厚度小于3.5纳米。
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