[发明专利]高纯锗探测器在审
| 申请号： | 201310741367.4 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104749606A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 张清军;李元景;陈志强;李玉兰;马秋峰;赵自然;刘以农;常建平 | 申请（专利权）人： | 同方威视技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;H01L31/115 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高纯锗探测器，包括高纯锗晶体，所述高纯锗晶体具有本征区裸露表面；第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别与高纯锗晶体的第一接触极和第二接触极相连；和导电保护环，所述导电保护环设置在所述本征区裸露表面中且环绕所述第一电极以将本征区裸露表面阻隔成内区域和外区域。该高纯锗探测器能够通过在高纯锗探测器的本征区裸露表面中设置导电保护环来将该表面的漏电流与检测电流隔离开从而抑制表面漏电流的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 探测器 | ||
【主权项】：
一种高纯锗探测器，包括：高纯锗晶体，所述高纯锗晶体具有本征区裸露表面；第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别与高纯锗晶体的第一接触极和第二接触极相连；和导电保护环，所述导电保护环设置在所述本征区裸露表面中且环绕所述第一电极以将本征区裸露表面阻隔成内区域和外区域。
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