[发明专利]晶种层的形成方法、硅膜的成膜方法以及成膜装置有效
| 申请号： | 201310741406.0 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103898601B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 大部智行;宫原孝广;永田朋幸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/08;C30B25/10;C30B25/14;C30B29/06;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶种层的形成方法、硅膜的成膜方法以及成膜装置，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备下述工序（1）将基底加热，在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在基底表面上形成第一晶种层；以及（2）将基底加热，在加热了的基底表面上供给乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在形成有第一晶种层的基底表面上形成第二晶种层，将前述（1）工序中的处理温度设为不足400℃且前述氨基硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在前述基底表面上的温度以上，将前述（2）工序中的处理温度设为不足400℃且前述乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在形成有前述第一晶种层的前述基底表面上的温度以上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶种层 形成 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种晶种层的形成方法，其中，所述方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备：(1)将所述基底加热，在所述加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在所述基底表面上形成第一晶种层的工序；以及(2)将所述基底加热，在所述加热了的基底表面上供给乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在形成有所述第一晶种层的所述基底表面上形成第二晶种层的工序，将所述(1)工序中的处理温度设为不足400℃且所述氨基硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在所述基底表面上的温度以上，将所述(2)工序中的处理温度设为不足400℃且所述乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在形成有所述第一晶种层的所述基底表面上的温度以上；将所述(1)工序中的处理压力设为399.9Pa以上且1333Pa以下，将所述(2)工序中的处理压力设为399.9Pa以上且1333Pa以下。
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