[发明专利]消除多道激光熔覆搭接孔洞的方法有效
申请号: | 201310741495.9 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103695901A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 林学春;赵树森;周春阳;高文焱;王奕博;刘发兰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C23C24/10 | 分类号: | C23C24/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种消除多道激光熔覆搭接孔洞的方法。该方法通过激光功率密度与单道熔覆层宽高比关系,确定最优单道熔覆层宽高比;根据工艺参数与单道熔覆层宽高比关系式,可以计算确定所采用的工艺参数,以及搭接间距,以消除多道激光熔覆的搭接孔洞。本发明消除多道激光熔覆搭接孔洞方法不仅可以消除熔覆层中的搭接孔洞,还可以降低熔覆层开裂敏感性,提高熔覆层寿命。 | ||
搜索关键词: | 消除 多道 激光 熔覆搭接 孔洞 方法 | ||
【主权项】:
1.一种消除多道激光熔覆搭接孔洞的方法,其特征在于,包括:步骤A,确定单道激光熔覆层宽高比初始值w0/h0,以及激光熔覆基本参数组中各个参数,包括:激光功率P、熔覆粉末密度ρ、激光扫描速度V、激光熔覆功率密度q0、载粉气体种类及流量;步骤B,由所述激光功率P和激光熔覆功率密度q0,确定激光光斑直径d;步骤C,由所述单道激光熔覆层宽高比初始值w0/h0、熔覆粉末密度ρ、激光扫描速度V和激光光斑直径d,确定送粉率;步骤D,利用如下参数对激光熔覆基材进行单道激光熔覆工艺试验,得到单道激光熔覆层,测量单道激光熔覆层的宽度w与高度h的实验值:激光功率P、激光扫描速度V、激光光斑直径d、送粉率、送粉载气种类及流量;步骤E,由单道激光熔覆层的宽度w与高度h的实验值,确定相邻两道熔覆层中心间距,即搭接间距c;以及步骤F,利用如下参数对激光熔覆基材进行激光熔覆,得到消除搭接孔洞的激光熔覆样品:激光熔覆基本参数组中各个参数、激光光斑直径d和搭接间距c。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310741495.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:氧化铁脱硫反应器筒体的撑圆工装
- 下一篇:一种抗冲击供氧附壁风筒
- 同类专利
- 专利分类