[发明专利]一种锗纳米线结构的制作方法有效
| 申请号： | 201310741573.5 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103693615A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王盛凯;刘洪刚;孙兵;常虎东;赵威 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种锗纳米线结构的制作方法，该方法包括：将锗衬底或沉积有锗薄膜的衬底洗净，对其表面进行光刻和刻蚀，获得锗线条结构；在锗线条结构表面沉积覆盖氧化物或者氮化物侧墙材料；利用各向异性刻蚀方法，去除掉锗线条间覆盖的侧墙材料，得到三面包覆侧墙材料的锗线条；以及将该三面包覆侧墙材料的锗线条置于纯氧气或含有氧气的混合气体中，通过调节气体流量比进而控制氧气分压以及反应温度，得到锗纳米线结构。本发明提供的锗纳米线结构的制作方法，具有可大面积生长、工艺简便、纳米线直径可控以及制备成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种锗纳米线结构的制作方法，其特征在于，该方法包括：将锗衬底或沉积有锗薄膜的衬底洗净，对其表面进行光刻和刻蚀，获得锗线条结构；在锗线条结构表面沉积覆盖氧化物或者氮化物侧墙材料；利用各向异性刻蚀方法，去除掉锗线条间覆盖的侧墙材料，得到三面包覆侧墙材料的锗线条；以及将该三面包覆侧墙材料的锗线条置于纯氧气或含有氧气的混合气体中，通过调节气体流量比进而控制氧气分压以及反应温度，得到锗纳米线结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310741573.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：洗衣机箱体箱角铆接装置
- 下一篇：一种带护板的漏电断路器
