[发明专利]掩膜版组、薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置有效
申请号: | 201310741648.X | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103715095A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 薛艳娜;董学;陈小川;薛海林 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786;H01L29/06;H01L29/417;G03F1/00 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种掩膜版组、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、以及显示装置,用以解决显示装置的显示屏的亮度比较小的问题。本发明实施例提供一种薄膜晶体管,薄膜晶体管的有源层与漏电极的交叠区域在与数据线平行的方向上的最大尺寸值小于所述有源层与源电极的交叠区域中与所述数据线重合的一条边的尺寸值;其中,所述源电极为位于所述有源层与所述数据线交叠区域的数据线部分。本发明实施例增大了像素单元的开口区,提高了光的透过率,使得包含像素单元的显示装置的显示屏的亮度变大;并在一定程度上避免画面闪烁问题,提高了画面显示质量。 | ||
搜索关键词: | 掩膜版组 薄膜晶体管 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种掩膜版组,用于薄膜晶体管制作,其特征在于,包括:第一掩膜版;所述第一掩膜版用于制作薄膜晶体管的有源层,其在所述有源层区域的图案满足:所述有源层与所述薄膜晶体管的漏电极的交叠区域在与数据线平行的方向上的最大尺寸值小于所述有源层与所述薄膜晶体管的源电极的交叠区域中与所述数据线重合的一条边的尺寸值;其中,所述源电极为位于所述有源层与所述数据线交叠区域的数据线部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造