[发明专利]一种PMOLED屏体及其制备方法有效
申请号: | 201310741698.8 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103745986B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 张祝新 | 申请(专利权)人: | 北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种PMOLED屏体,包括玻璃基板和设置在玻璃基板上的OLED像素点,每个所述OLED像素点单独引出第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极与外部的驱动电路连接,所述PMOLED的制备方法制备时预留部分区域不蒸镀有机材料作为第一电极引出端,封装时在第一电极引出端和第二电极材料层预留引出孔,分别引出第一电极和第二电极,这样,每个像素点拥有各自单独的阴极和阳极,避免了现有技术中一行和一列的像素是共用一个阳极和一个阴极的问题,即使屏体增大,由于各个像素点的阴极和阳极独立,不会存在现有技术中点亮某一像素点时需要从其它像素点流过电流的问题,该方案中各个像素点的阴极和阳极独立设置,单独控制,因此使用该方案的OLED点阵屏发光更均匀。 | ||
搜索关键词: | 一种 pmoled 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种PMOLED屏体,包括基板,其特征在于:在所述基板上设置有由若干相交的狭缝隔离成的独立的OLED像素点,每个所述OLED像素点单独引出第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极与外部的驱动电路连接;所述OLED像素点包括第一电极材料层,所述第一电极材料层为被狭缝分割成独立的两部分,其中第一部分作为第一电极引出端且除第一电极引出端外覆盖发光材料层,第二部分与所述第二电极材料层连接且引出第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的