[发明专利]半导体散热结构在审
| 申请号： | 201310741780.0 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752375A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 林志晔;陈志明 | 申请（专利权）人： | 奇鋐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体散热结构，包括：一半导体元件、一盖体；所述盖体具有一第一侧及一第二侧与一辐射散热层，其中盖体通过该第一侧覆盖于前述半导体元件的外部并与该半导体元件接触，而所述辐射散热层形成于该盖体的第二侧，通过本发明的半导体散热结构可令被盖体覆盖的半导体元件所产生的热量能快速被导出，并借由辐射散热快速解热而不产生积热。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 散热 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体散热结构，包括：一半导体元件；一盖体，具有一第一侧及一第二侧与一辐射散热层，通过该第一侧覆盖于前述半导体元件外部并与该半导体元件的一侧接触，所述辐射散热层形成于该第二侧。
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