[发明专利]锗单晶片加工新工艺在审
| 申请号： | 201310741866.3 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103659349A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 杨海严;王雨春;张瑞良 | 申请（专利权）人： | 昆明云锗高新技术有限公司 |
| 主分类号： | B23Q3/00 | 分类号： | B23Q3/00;B23B27/02 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 65000*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 锗单晶片加工新工艺，属于锗材料加工工艺，尤其是一种锗红外光学镜片的加工工艺。本发明锗单晶片加工新工艺，该工艺包括将锗单晶毛坯件进行粗磨，之后进行抛光和镀膜，其特征在于粗磨采用切削方式，具体是将待磨的锗单晶毛坯件固定在夹具上，并随夹具旋转，刀具则沿待磨毛坯件表面直线移动，将毛坯表面的粗糙表面去除，形成均匀的光滑表面。本发明的工艺，操作简单，大大缩短了粗磨时间，产品质量能够保证，提高了生产效率，相应的降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 新工艺 | ||
【主权项】：
锗单晶片加工新工艺，该工艺包括将锗单晶毛坯件进行粗磨，之后进行抛光和镀膜，其特征在于粗磨采用切削方式，具体是将待磨的锗单晶毛坯件固定在夹具上，并随夹具旋转，刀具则沿待磨毛坯件表面直线移动，将毛坯表面的粗糙表面去除，形成均匀的光滑表面。
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