[发明专利]硅膜的成膜方法以及成膜装置

摘要

本发明提供一种硅膜的成膜方法以及成膜装置，所述成膜方法在基底上形成包含硅膜的膜，其具备将该基底加热，在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在基底表面上形成晶种层的工序；以及，将基底加热，在加热了的基底表面的晶种层上供给不含氨基的硅烷系气体，在晶种层上形成硅膜的工序，前述晶种层的形成工序所使用的氨基硅烷系气体的分子中包含2个以上的硅。

主权项

一种硅膜的成膜方法，其为在基底上形成包含硅膜的膜的成膜方法，具备：将所述基底加热，在所述加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在所述基底表面上形成晶种层的工序；以及将所述基底加热，在所述加热了的基底表面的晶种层上仅供给不含氨基的硅烷系气体，在所述晶种层上形成硅膜的工序，所述形成晶种层的工序所使用的所述氨基硅烷系气体的分子中包含2个以上的硅；所述分子中包含2个以上硅的氨基硅烷系气体为包含用下式表示的硅的氨基化合物的气体，所述式为：((R1R2)N)nSiXH2X‑n‑m(R3)m…(B)，其中，所述(B)式中，n为氨基数且为1～6的自然数；m为烷基数且为0和1～5的自然数；R1、R2＝CH3、C2H5、C3H7；R3＝CH3、C2H5、C3H7、Cl；R1＝R2＝R3或者也可以不相同；X为2以上的自然数。