[发明专利]一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法有效
申请号: | 201310742708.X | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN103715304A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 裴娜;李建朋;常巧艳;许敬亚;吴成新;王月超;李永洋;张继伟 | 申请(专利权)人: | 天津英利新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人: | 孙春玲 |
地址: | 301510 天津市滨海新区津汉公*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明创造提供一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法,包括湿法刻蚀机去膜处理、PECVD镀膜和印刷烧结步骤。本发明提供的色差片处理流程只需将色差片再次通过湿法刻蚀工艺即可,相对于现有的处理方法较为简单,节省了不必要的再利用处理成本,且此方法无需采购专门的处理设备,通过用于生产的设备即可实现,节省了设备成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 湿法 刻蚀 实现 色差 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法,包括去膜处理、PECVD镀膜和印刷烧结步骤,其特征在于,所述去膜处理步骤是采用湿法刻蚀机进行膜处理,具体步骤如下:(1)挑选出经过PECVD镀膜后的色差片;(2)将色差片蓝膜向上投入到湿法刻蚀机中进行去膜处理;(3)之后将去膜处理过的色差片依次通过PECVD镀膜和印刷烧结工艺,最终可制成成品电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的