[发明专利]一种非易失性存储器的掉电保护方法和装置有效

专利信息
申请号: 201310742810.X 申请日: 2013-12-27
公开(公告)号: CN104751888B 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 王林凯;胡洪;洪杰 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G11C16/14 分类号: G11C16/14
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 赵娟
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种非易失性存储器的掉电保护方法和装置,以解决在执行擦除操作的过程中发生异常掉电时,重新上电后由于过擦除现象导致对存储单元读取的数据不准确的问题。其中,方法包括:在接收到擦除指令后,从预先设置的掉电保护区域中选定第一掉电保护区域;在第一掉电保护区域中记录擦除信息,并开始执行擦除操作;在掉电后重新上电时,依据掉电保护区域中记录的擦除信息判断是否在执行擦除操作的过程中发生异常掉电;若发生异常掉电,则选定第二掉电保护区域,并依据第二掉电保护区域中记录的擦除信息执行过擦除校验。本发明可以保证非易失性存储器在执行擦除操作的过程中发生异常掉电,重新上电后对存储单元读取的数据的可靠性。
搜索关键词: 一种 非易失性存储器 掉电 保护 方法 装置
【主权项】:
1.一种非易失性存储器的掉电保护方法,其特征在于,包括:在接收到擦除指令后,从预先设置的掉电保护区域中选定第一掉电保护区域;在所述第一掉电保护区域中记录擦除信息,并开始执行擦除操作;在掉电后重新上电时,依据所述掉电保护区域中记录的擦除信息判断是否在执行擦除操作的过程中发生异常掉电;若发生异常掉电,则选定第二掉电保护区域,并依据所述第二掉电保护区域中记录的擦除信息执行过擦除校验;其中,所述预先设置的掉电保护区域包括多个,所述擦除信息包括掉电标志和擦除区域地址,所述掉电保护区域还包括占用标志。
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