[发明专利]可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法

摘要

本发明属于柔性太阳能电池制造技术领域，特别涉及一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本发明的太阳能电池具体结构是：Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底；其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极，然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜，最后制备金属Al电极。本发明的可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池具有优异的柔软性，重量轻，携带方便，具有产业化潜力和市场空间，而且制备工艺简单，能实现规模生产。

主权项

一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池，其特征在于是以PI作为柔性衬底，衬底上是AlN绝缘层，AlN绝缘层上方是Al背电极，Al背电极上方是作为缓冲层的GZO基导电薄膜，GZO基导电薄膜上方是N型nc‑Si:H薄膜，N型nc‑Si:H薄膜上方是I层本征InxGa1‑xN薄膜，I层本征InxGa1‑xN薄膜上方是P型nc‑ Si:H薄膜，P型nc‑ Si:H薄膜上方是GZO基导电薄膜，GZO基导电薄膜上方是Al金属电极；具体结构是：Al电极/GZO /P型nc‑Si:H/I层本征InxGa1‑xN/N型nc‑Si:H/GZO /Al背电极/AlN/ PI柔性衬底，其中I层本征InxGa1‑xN薄膜的带隙宽度可调且具有量子阱结构。