[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示器

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法，阵列基板和显示器，用以缩短工艺时间，提高生产效率。所述薄膜晶体管制备方法包括：在基板上沉积缓冲层和半导体非晶硅层；在缓冲层上形成有源层及存储电容下电极区；在有源层及存储电容下电极区上形成栅极绝缘层并在该绝缘层上形成栅极；将形成有栅极绝缘层和栅极的基板进行离子注入；在栅极绝缘层和栅极上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成第一过孔；在第一绝缘层上形成源漏极及存储电容上电极，源漏极分别通过第一过孔与有源层形成的导体区域相连；在源漏极及存储电容上电极上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成第二过孔；在第二绝缘层上形成像素电极，像素电极通过第二过孔与漏极相连。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上依次沉积缓冲层和半导体非晶硅薄膜层；在缓冲层上形成有源层及存储电容的下电极区；在有源层及存储电容的下电极区上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成栅电极及栅线；将形成有栅极绝缘层、栅电极及栅线的基板放入离子注入设备中，进行离子注入,在所述有源层两端及所述存储电容的下电极区形成导体区域；在栅极绝缘层和栅电极上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成第一过孔；在第一绝缘层上形成源极、漏极及存储电容的上电极，其中所述源极和漏极通过所述第一过孔与有源层形成的导体区域相连；在源极、漏极及存储电容的上电极上形成第二绝缘层，并在第二绝缘层上形成第二过孔；在第二绝缘层上形成像素电极，该像素电极通过第二过孔与漏极相连。