[发明专利]一种提拉法晶体生长炉在审

专利信息
申请号: 201310743129.7 申请日: 2013-12-28
公开(公告)号: CN103741208A 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 方海生;金泽林;王森;赵超杰;张梦洁;张之 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 朱仁玲
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种提拉法晶体生长炉,其特征在于,包括内部中空而形成炉腔(5)的炉体,置于该炉腔(5)中心的坩埚(2),该坩埚(2)与一同轴置于炉腔(5)内的籽晶杆(4)相连,用于在坩埚(3)内生长晶体(3);其特征在于,位于所述坩埚(2)上部的所述炉腔(2)内壁具有一定锥度,形成圆台筒体结构。本发明的生长炉可以有效控制提拉法炉腔中流动传热的三维效应,在晶体周围组织较好的温度环境,同时使得晶体生长过程中固液界面处在较好的温度梯度。这种新型的炉腔结构能够减小晶体生长过程中位错或者破裂的产生,提高晶体质量。
搜索关键词: 一种 提拉法 晶体生长
【主权项】:
一种提拉法晶体生长炉,其特征在于,包括内部中空而形成炉腔(5)的炉体,置于该炉腔(5)中心的坩埚(2),该坩埚(2)与一同轴置于炉腔(5)内的籽晶杆(4)相连,用于在坩埚(3)内生长晶体(3);其特征在于,位于所述坩埚(2)上部的所述炉腔(2)内壁具有一定锥度,形成圆台筒体结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310743129.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top