[发明专利]一种提拉法晶体生长炉在审
申请号: | 201310743129.7 | 申请日: | 2013-12-28 |
公开(公告)号: | CN103741208A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 方海生;金泽林;王森;赵超杰;张梦洁;张之 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种提拉法晶体生长炉,其特征在于,包括内部中空而形成炉腔(5)的炉体,置于该炉腔(5)中心的坩埚(2),该坩埚(2)与一同轴置于炉腔(5)内的籽晶杆(4)相连,用于在坩埚(3)内生长晶体(3);其特征在于,位于所述坩埚(2)上部的所述炉腔(2)内壁具有一定锥度,形成圆台筒体结构。本发明的生长炉可以有效控制提拉法炉腔中流动传热的三维效应,在晶体周围组织较好的温度环境,同时使得晶体生长过程中固液界面处在较好的温度梯度。这种新型的炉腔结构能够减小晶体生长过程中位错或者破裂的产生,提高晶体质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 提拉法 晶体生长 | ||
【主权项】:
一种提拉法晶体生长炉,其特征在于,包括内部中空而形成炉腔(5)的炉体,置于该炉腔(5)中心的坩埚(2),该坩埚(2)与一同轴置于炉腔(5)内的籽晶杆(4)相连,用于在坩埚(3)内生长晶体(3);其特征在于,位于所述坩埚(2)上部的所述炉腔(2)内壁具有一定锥度,形成圆台筒体结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310743129.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。