[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201310743149.4 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752323A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 戚德奎;李新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有接触孔以及光刻标记孔，所述光刻标记孔具有空隙；沉积牺牲材料层，以完全填充所述空隙；在所述层间介电层以及所述牺牲材料层上形成保护层；在所述半导体衬底以及所述层间介电层中形成硅通孔；去除所述保护层，以露出所述牺牲材料层；去除所述牺牲材料层，以露出所述空隙。本发明提出使用a-C作为硅通孔制备（TSV?VIA?middle）工艺中CT的保护层，a-C相比SIN具有更好的台阶覆盖能力、能够被完全去除，从而不影响后续第一金属层光刻（M1photo）对位，有效地解决了OVL量测问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有接触孔以及光刻标记孔，所述光刻标记孔具有空隙；沉积牺牲材料层，以完全填充所述空隙；在所述层间介电层以及所述牺牲材料层上形成保护层；在所述半导体衬底以及所述层间介电层中形成硅通孔；去除所述保护层，以露出所述牺牲材料层；去除所述牺牲材料层，以露出所述空隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
