[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，可以通过深绝缘沟槽以及介电盖帽层对位于埋入式绝缘层下方的第一半导体衬底与位于埋入式绝缘层上方的第二半导体衬底上的晶体管以及互连线进行有效隔离，最大程度地降低基板耦合作用，提高半导体器件的性能。本发明的半导体器件，具有深绝缘沟槽以及介电盖帽层，可以对位于埋入式绝缘层下方的第一半导体衬底与位于埋入式绝缘层上方的第二半导体衬底上的晶体管以及互连线进行有效隔离，最大程度地降低基板耦合作用，提高半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供包括自下而上依次层叠的第一半导体衬底、埋入式绝缘层和第二半导体衬底的绝缘体上硅衬底，在所述绝缘体上硅衬底的第一区域和第二区域形成位于所述第二半导体衬底内的浅沟槽隔离以及位于所述第二半导体衬底内部和上表面的晶体管；步骤S102：在所述第二半导体衬底上形成具有开口的硬掩膜层，所述开口暴露出所述第二半导体衬底位于第二区域的部分；步骤S103：利用所述硬掩膜层进行刻蚀，去除位于第二区域内的晶体管和浅沟槽隔离以及所述第二半导体衬底和所述埋入式绝缘层位于第二区域的部分，以形成深绝缘沟槽；步骤S104：去除所述硬掩膜层，形成覆盖所述深绝缘沟槽的底部和侧壁以及所述第二半导体衬底的介电盖帽层。