[发明专利]一种具有高频低介电损耗的低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310743499.0 | 申请日： | 2013-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103803956A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 姜少虎;张奕;林慧兴;陈玮;罗澜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/16 | 分类号： | C04B35/16;C04B32/00;C03C3/091;C03C3/064 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高频低介电损耗的低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用。所述材料是由20～50wt%的玻璃材料与50～80wt%的陶瓷材料复合而成，所述玻璃材料的组成中至少包含CaO、B2O3、SiO2和Al2O3，所述陶瓷材料的组成为堇青石、硅酸锌、氧化铝中的至少一种。该材料的制备是首先按所述玻璃材料的组成进行配料，制得玻璃粉体，然后将玻璃粉体与陶瓷粉体按比例混合均匀，制得低温共烧陶瓷粉体；再将所得低温共烧陶瓷粉体在850～900℃下进行烧结。实验证明，本发明所提供的低温共烧陶瓷材料，具有高频低介电损耗性能，可满足贴片式元器件的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高频 低介电 损耗 低温 陶瓷材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种具有高频低介电损耗的低温共烧陶瓷材料，其特征在于：是由20～50wt%的玻璃材料与50～80wt%的陶瓷材料复合而成，所述玻璃材料的组成中至少包含CaO、B2O3、SiO2和Al2O3，所述陶瓷材料的组成为堇青石、硅酸锌、氧化铝中的至少一种。
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