[发明专利]一种SiC材料清洗方法在审
| 申请号： | 201310744030.9 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103681246A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陆敏;张昭;田亮;杨霏 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网智能电网研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/04 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及SiC器件的制作工艺，具体涉及一种SiC材料清洗方法。该方法包括SiC材料含氧混合等离子体氧化、氧化膜去除、常规无机清洗、常规有机清洗，关键的工艺改进是在氧等离子体氧化成膜过程中增加了其它含氧混合等离子体气体。本发明解决了以往只采用氧气等离子体氧化工艺的成膜效率低的问题，可以在SiC表面快速获得氧化物薄膜，该方法可以有效便捷的进行SiC材料清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 材料 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC材料清洗方法，所述方法包括依次进行的SiC材料含氧混合等离子体氧化、氧化膜去除、常规无机清洗和常规有机清洗步骤，其特征在于，在SiC材料含氧混合等离子体氧化过程中增加含氧混合等离子体，所述含氧混合等离子体轰击SiC材料表面，通过控制Si‑C键的打开，增加氧等离子体气体与Si发生氧化反应的概率，在SiC材料表面获得氧化薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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