[发明专利]一种平缓光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法

摘要

本发明涉及SiC器件的制作技术，具体涉及一种平缓光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法。该方法包括SiC材料清洗、沉积疏松掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、湿法腐蚀光滑掩膜层、去胶、干法刻蚀SiC材料，关键的工艺改进是干法刻蚀疏松掩膜层与湿法腐蚀光滑掩膜层相结合。本发明改变了以往只采用湿法腐蚀掩膜层工艺，从而解决了湿法腐蚀产生的侧蚀导致掩膜条宽变窄的问题，该方法可以有效便捷的获得平缓光滑侧壁的SiC刻蚀形貌。

主权项

一种平缓光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法，所述方法内包括依次进行的SiC材料清洗、沉积疏松掩膜层、光刻、去胶和干法刻蚀SiC材料步骤，其特征在于，在步骤光刻和去胶之间增加依次进行的干法刻蚀疏松掩膜层和湿法腐蚀光滑掩膜层步骤，通过控制平缓光滑侧壁形貌的掩膜，获得平缓光滑侧壁形貌的SiC；所述疏松掩膜层的密度小于对应单晶掩膜层密度的95％；所述SiC材料清洗包括如下清洗步骤：(1)采用1#清洗液：氨水：双氧水：纯水＝1:1:5，温度70°，时间5分；2#清洗液：盐酸：双氧水：纯水＝1:1:5，温度70°时间5分；BOE清洗液：氢氟酸：氟化铵＝1:20，常温，时间30秒；丙酮超声5分；异丙醇超声5分；DI水冲洗5分，烘干，待用；或(2)采用1#清洗液：氨水：双氧水：纯水＝1:1:5，温度70°，时间5分；BOE清洗液：氢氟酸：氟化铵＝1:20，常温，时间30秒；2#清洗液：盐酸：双氧水：纯水＝1:1:5，温度70°时间5分；BOE清洗液：氢氟酸：氟化铵＝1:20，常温，时间30秒；异丙醇超声5分；丙酮超声5分；异丙醇超声5分；DI水冲洗5分，烘干，待用；所述疏松掩膜层包括疏松氧化硅和疏松氮化硅、疏松氮氧硅硬掩膜层；沉积掩疏松膜层包括室温条件下的离子体增强化学气相沉积方法PECVD、等离子体化学气相淀积ICPCVD和物理气相沉积方法PVD；所述光刻包括涂胶、前烘、曝光、后烘、显影和坚膜工艺步骤；所述干法刻蚀疏松掩膜层包括反应离子刻蚀疏松掩膜层和感应耦合等离子体刻蚀疏松掩膜层；所述湿法腐蚀光滑掩膜层包括采用BOE清腐蚀液对干法刻蚀形成的掩膜层进行腐蚀，以使掩膜层光滑；所述去胶包括丙酮浸泡、去胶剂去除、氧等离子体去胶、曝光后显影液去胶以及上述一种以上的组合去胶方式；所述干法刻蚀SiC材料包括反应离子刻蚀SiC材料和感应耦合等离子体刻蚀SiC材料。