[发明专利]一种新型GaN基LED结构及制备方法有效
| 申请号： | 201310744819.4 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103715322A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 杨晓杰;李晓东 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型GaN基LED结构及制备方法，属于半导体光电子器件的制备领域。本发明区别现有技术的核心是：通过在p+-GaN层和n+-GaN层上高温生长掺杂Mg的p-型GaN外延层。其中n+-GaN层中的Si原子可以有效地抑制GaN外延层的点缺陷的形成和发光淬灭现象，p+-GaN层有助于提高空穴电流的注入效率并降低LED的工作电压。在p+-GaN层和n+-GaN层上高温生长GaN基LED，提高了p-型GaN的晶体质量及其中的空穴浓度与迁移率，从而改善了空穴电流的向量子阱有源区的注入效率和LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan led 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED结构的制备方法，其特征在于：先高温生长p型GaN，接着生长中间多层量子阱结构（MQW），再生长n型GaN层，所述高温在1000℃以上。
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