[发明专利]一种等离子体处理装置及其静电卡盘在审
| 申请号： | 201310745011.8 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752136A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 何乃明;吴狄;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置及其静电卡盘，所述静电卡盘包括绝缘层和设置在绝缘层下方的导热层，所述导热层下方设置加热装置，所述导热层包括第一导热区域和第二导热区域，所述第二导热区域环绕所述第一导热区域设置，所述第一导热区域和所述第二导热区域所在的导热层厚度不同，由于导热层厚度不同，其传导热的速度不同，实现对静电卡盘部分区域快速升温或降温，以达到与其他区域温度均匀或具有一定温度差的目的，本发明提供了一种分区控制静电卡盘温度的方案，实现了除调节加热装置的加热电源外的另一种调节方案，可以与调节加热装置的加热电源协同配合，实现静电卡盘的温度控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 装置 及其 静电 卡盘 | ||
【主权项】：
一种静电卡盘，其特征在于：所述静电卡盘包括一内置直流电极的绝缘层和位于绝缘层下方的导热层，所述导热层包括第一导热区域和第二导热区域，所述第二导热区域环绕所述第一导热区域设置，所述第一导热区域和所述第二导热区域所在的导热层厚度不同。
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