[发明专利]晶体硅太阳电池背接触电池及其制备方法

摘要

本发明公开了晶体硅太阳电池背接触电池及其制备方法，包括背电场（5）、基区（6）和发射结区（7）组成的基片（11），基片（11）中设置有若干主栅负极（9），主栅负极（9）与基片（11）之间设置有保护绝缘膜（10）。本发明的有益效果是：本发明中在主栅负极和基片之间设置保护绝缘膜，保证了基片上设置主栅负极的导电孔处不会漏电，提高了电池的输出功率和热稳定性；保护绝缘膜的覆盖还对底部基区及导电孔内壁具有一定的钝化作用，降低激光穿孔后孔壁及附近区域的表面复合速率，提高硅片基体质量；通过改变保护绝缘膜成分配比和厚度可以匹配穿孔金属浆料，达到沿用原有浆料而不再引入新的穿孔金属浆料目的。

主权项

晶体硅太阳电池背接触电池，其特征在于，包括呈片状的基区（6），基区（6）的一面覆盖有背电场（5），另一面覆盖有发射结区（7），背电场（5）、基区（6）和发射结区（7）即组成基片（11），基片（11）中设置有若干主栅负极（9），主栅负极（9）在横向上组成多条间隔排列的主栅负极排，纵向上组成多条间隔排列的主栅负极列，主栅负极（9）垂直贯穿基片（11），发射结区（7）的背向基区（6）的一面设置多条横向间隔排列的细栅线（2），一条细栅线（2）对应一条主栅负极排，且对应的细栅线（2）连接对应主栅负极排中的所有主栅负极（9），主栅负极（9）与基片（11）之间设置有保护绝缘膜（10），细栅线（2）与发射结区（7）之间设置有减反钝化膜（3），所述的减反钝化膜（3）覆盖发射结区（7），所述的背电场（5）中设置有多条纵向排列的正电极（4），所述的正电极（4）位于两条主栅负极列之间，正电极（4）一面贴合基区（6），另一面露出背电场（5）。