[发明专利]一种通过界面改性制备铜锌锡硫类薄膜太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种通过界面改性制备铜锌锡硫类薄膜太阳能电池的方法。铜锌锡硫类薄膜太阳能电池为多层膜结构：衬底／Mo背接触层／铜锌锡硫类光吸收薄膜层/缓冲层CdS/窗口层ZnO/减反膜MgF₂和金属栅电极Ni-Al。本发明通过界面改性，在Mo背接触层上制备Cu₂S_1-xSe_x预制层，其中0≤x≤1，在预制层上用铜锌锡硫纳米墨水成膜，经高温退火工艺，使Cu₂S_1-xSe_x预制层与铜锌锡硫纳米晶薄膜实现扩散融合及化学反应，在不引入其他杂质元素的基础上，有效克服了铜锌锡硫纳米晶成膜附着力较差的弊端，得到结晶性好，形貌均匀，物相单一，附着力强的铜锌锡硫类光吸收层薄膜，从而制备得到高效率的铜锌锡硫类薄膜太阳能电池。

主权项

一种通过界面改性制备铜锌锡硫类薄膜太阳能电池的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上制备Mo背接触层；步骤2：在步骤1制备的Mo背接触层上制备Cu₂S_1‑xSe_x预制层,其中0≤x≤1；步骤3：在步骤2所述Cu₂S_1‑xSe_x预制层上用铜锌锡硫纳米墨水成膜，经高温退火工艺，使Cu₂S_1‑xSe_x与铜锌锡硫纳米晶实现扩散融合及化学反应制备铜锌锡硫类吸收层薄膜；步骤4：在步骤3所述的铜锌锡硫类吸收层薄膜上制备CdS缓冲层；步骤5：在步骤4所述的CdS缓冲层上制备ZnO窗口层；步骤6：在步骤5所述的ZnO窗口层上射频溅射MgF₂减反膜；步骤7：在步骤6所述的MgF₂减反膜上制备Ni‑Al栅状电极。