[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件的形成方法包括提供衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，所述衬底内形成有初始隔离层；依次在初始隔离层之间的衬底表面形成隧穿介质层和浮栅导电层；形成覆盖于浮栅导电层表面的栅间介质层；在去除第一区域的栅间介质层的同时，去除第二区域的栅间介质层；在第一区域衬底表面形成栅氧化层的同时，在第二区域的浮栅导电层表面形成栅氧化层，且栅氧化层厚度比栅间介质层厚度小；形成覆盖于第一区域和第二区域的栅介质层、以及第三区域的栅间介质层表面的控制栅导电层。本发明增加了半导体器件的单位面积电容值，优化了半导体器件的电学性能，满足半导体器件小型化微型化的发展趋势。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括三个区域：用于形成晶体管的第一区域、用于形成电容器的第二区域、用于形成快闪存储器的第三区域，在所述第一区域、第二区域和第三区域的衬底内形成初始隔离层，且所述初始隔离层顶部高于衬底表面；依次在所述初始隔离层之间的衬底表面形成隧穿介质层和浮栅导电层，且所述浮栅导电层顶部与初始隔离层顶部齐平；形成覆盖于所述浮栅导电层表面的栅间介质层；在去除第一区域的栅间介质层的同时，去除第二区域的栅间介质层，暴露出第二区域的浮栅导电层；去除第一区域的浮栅导电层和隧穿介质层，暴露出第一区域衬底表面；在所述第一区域衬底表面形成栅氧化层的同时，在第二区域的浮栅导电层表面形成栅氧化层，且所述栅氧化层厚度比栅间介质层厚度小；形成覆盖于第一区域和第二区域的栅介质层、以及第三区域的栅间介质层表面的控制栅导电层。