[发明专利]存储器件及其形成方法

摘要

一种存储器件及其形成方法，其中，存储器件的形成方法包括提供具有存储区和外围区的衬底，存储区的衬底表面具有若干相邻的存储单元，存储单元包括第一介质层、浮栅层、第二介质层、控制栅层和第一掩膜层，外围区的衬底表面具有器件结构；在衬底、存储单元和器件结构表面形成第二掩膜薄膜和第三掩膜薄膜；回刻蚀第三掩膜薄膜，直至暴露出外围区的第二掩膜薄膜为止，在存储区的第二掩膜薄膜表面形成第三掩膜层；以第三掩膜层为掩膜，刻蚀第二掩膜薄膜，以形成第二掩膜层；以第二掩膜层为掩膜，在器件结构表面、以及控制栅层暴露出的侧壁表面形成硅化物层。所形成的存储器件性能良好、尺寸缩减。

主权项

一种存储器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有存储区和外围区，所述存储区的衬底表面具有若干相邻的存储单元，所述存储单元包括：位于衬底表面的第一介质层、位于第一介质层表面的浮栅层、位于浮栅层表面的第二介质层、位于第二介质层表面的控制栅层、以及位于控制栅层表面的第一掩膜层，所述外围区的衬底表面具有器件结构；在衬底、存储单元和器件结构表面形成第二掩膜薄膜、以及位于第二掩膜薄膜表面的第三掩膜薄膜；回刻蚀所述第三掩膜薄膜，直至暴露出外围区的第二掩膜薄膜为止，在存储区的第二掩膜薄膜表面形成第三掩膜层，所述第三掩膜层至少暴露出部分控制栅层侧壁表面的第二掩膜薄膜；以所述第三掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二掩膜薄膜，直至暴露出外围区的衬底和器件结构表面，并至少暴露出部分控制栅层的侧壁表面，形成第二掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜，采用自对准硅化工艺在器件结构表面、以及控制栅层暴露出的侧壁表面形成硅化物层。