[发明专利]读写分离的双端口SRAM结构及其单元在审
| 申请号： | 201310745737.1 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104751878A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王颖倩;李煜;王媛;王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种读写分离的双端口SRAM结构及其单元。其中，SRAM单元包括耦接的第一反相器与第二反相器，所述第一反相器具有第一存储结点，所述第二反相器具有第二存储结点；与所述第一存储结点相连的第一传输晶体管，与所述第二存储结点相连的第二传输晶体管；与所述第一存储结点或第二存储结点相连的读取晶体管。通过将现有技术中的读传输晶体管与读下拉NMOS管替换为一个读取晶体管，不但减小了读过程的电阻，增大了读电流，还减小了面积，提高了SRAM结构的面积利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 读写 分离 端口 sram 结构 及其 单元 | ||
【主权项】：
一种读写分离的双端口SRAM结构单元，包括：第一反相器与第二反相器，所述第一反相器包括第一上拉PMOS管和第一下拉NMOS管，所述第二反相器包括第二上拉PMOS管和第二下拉NMOS管，所述第一反相器具有第一存储结点，所述第二反相器具有第二存储结点；与所述第一存储结点相连的第一传输晶体管，与所述第二存储结点相连的第二传输晶体管；其特征在于，还包括：与所述第一存储结点或第二存储结点相连的读取晶体管。
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