[发明专利]读写分离的双端口SRAM结构及其单元在审
申请号: | 201310745737.1 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN104751878A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 王颖倩;李煜;王媛;王楠 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G11C11/419 | 分类号: | G11C11/419 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种读写分离的双端口SRAM结构及其单元。其中,SRAM单元包括耦接的第一反相器与第二反相器,所述第一反相器具有第一存储结点,所述第二反相器具有第二存储结点;与所述第一存储结点相连的第一传输晶体管,与所述第二存储结点相连的第二传输晶体管;与所述第一存储结点或第二存储结点相连的读取晶体管。通过将现有技术中的读传输晶体管与读下拉NMOS管替换为一个读取晶体管,不但减小了读过程的电阻,增大了读电流,还减小了面积,提高了SRAM结构的面积利用率。 | ||
搜索关键词: | 读写 分离 端口 sram 结构 及其 单元 | ||
【主权项】:
一种读写分离的双端口SRAM结构单元,包括:第一反相器与第二反相器,所述第一反相器包括第一上拉PMOS管和第一下拉NMOS管,所述第二反相器包括第二上拉PMOS管和第二下拉NMOS管,所述第一反相器具有第一存储结点,所述第二反相器具有第二存储结点;与所述第一存储结点相连的第一传输晶体管,与所述第二存储结点相连的第二传输晶体管;其特征在于,还包括:与所述第一存储结点或第二存储结点相连的读取晶体管。
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