[发明专利]半导体器件及其形成方法、提高晶圆切割成品率的方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法、提高晶圆切割成品率的方法，其中半导体器件的形成方法包括：提供晶圆，晶圆分为多个芯片区、和位于相邻两芯片区之间的切割道；在晶圆上形成层间介质层；在层间介质层中形成对应芯片区的多层互连金属层和多层插塞层，相邻两层互连金属层之间通过插塞层电连接；在层间介质层中形成对应切割道的多层伪插塞层，每层伪插塞层包括多个伪插塞。在沿切割道切割半导体器件时，切割道位置产生的应力主要作用在伪插塞上，芯片区的层间介质层部分和其中的插塞层不会受到应力或仅受到较小应力，防止芯片区的层间介质层部分和其中的插塞层断裂，确保芯片区的互连金属层和插塞层的互连性能良好。这显著提高了晶圆切割成品率。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆分为多个芯片区、和位于相邻两芯片区之间的切割道；在所述晶圆上形成层间介质层；在所述层间介质层中形成对应所述芯片区的多层互连金属层和多层插塞层，相邻两层互连金属层之间通过插塞层电连接；在所述层间介质层中形成对应所述切割道的多层伪插塞层，每层伪插塞层包括多个伪插塞。