[发明专利]半导体衬底及其制作方法、集成无源器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201310745786.5 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752157A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 葛洪涛;包小燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体衬底及其制作方法、集成无源器件及其制作方法。所述半导体衬底的制作方法包括：提供基底；在所述基底上形成缓冲层；在所述缓冲层和所述基底中形成多个沟槽；在所述缓冲层上和所述沟槽表面形成覆盖层，所述覆盖层中包括多个封闭空腔；对所述覆盖层进行平坦化处理。所述半导体衬底采用所述制作方法形成。所述集成无源器件包括所述半导体衬底。所述集成无源器件包括所述半导体衬底的制作方法。本发明可以提高半导体衬底的绝缘性且降低半导体衬底的干扰性，并提高集成无源器件的信号质量且降低集成无源器件的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 及其 制作方法 集成 无源 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底的制作方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成缓冲层；在所述缓冲层和所述基底中形成多个沟槽；在所述缓冲层上和所述沟槽表面形成覆盖层，所述覆盖层中包括多个封闭空腔；对所述覆盖层进行平坦化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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