[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：在刻蚀去除半导体衬底上的伪栅结构的伪栅材料层之前，先向半导体衬底上方的伪栅结构和伪栅结构周边的介质层内注入离子，从而在后续刻蚀伪栅材料层过程中，提高刻蚀伪栅材料层和介质层的刻蚀选择比，在去除伪栅材料层过程中，减小介质层，以及伪栅结构除伪栅材料层外其他结构被腐蚀的量。采用上述技术方案可在刻蚀伪栅材料层，在介质层内形成栅极凹槽后，有效降低在介质层表面形成与栅极凹槽相通的多余的凹槽的概率。避免在后续半导体器件的制备过程中，在多余凹槽内形成与金属插塞以及金属栅极电导通的导电层，造成金属插塞和金属栅极之间出现漏电的缺陷。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于：包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅结构，以及包裹于所述伪栅结构周边的介质层，所述伪栅结构的伪栅材料层表面与所述介质层上表面齐平；向所述伪栅结构，以及介质层内注入离子；刻蚀注入离子后的伪栅材料层，在所述介质层内形成栅极凹槽；去除所述伪栅材料层的工艺包括第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤；所述第一刻蚀步骤的工艺为干法刻蚀，所述第二刻蚀步骤的工艺为湿法刻蚀；在第一刻蚀步骤后，再次向所述伪栅结构以及介质层内注入离子；之后进行第二刻蚀步骤；刻蚀所述伪栅材料层前注入所述伪栅结构以及介质层内的离子的剂量，大于第一刻蚀步骤后向所述伪栅结构以及介质层内注入的离子的剂量。