[发明专利]导电插塞的形成方法在审
| 申请号： | 201310745861.8 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752328A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;黄敬勇;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种导电插塞的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍式场效应晶体管、刻蚀停止层和层间介质层；在所述层间介质层中形成第一接触孔；在所述第一接触孔中形成有机填充层；在所述有机填充层上形成图案化的掩膜层；采用第一各向异性刻蚀工艺和第二各向异性刻蚀工艺沿第一开口蚀刻所述填充层，直至形成暴露所述层间介质层的凹槽，所述第一各向异性刻蚀工艺采用的反应气体包括CO2，所述第二各向异性刻蚀工艺采用的反应气体包括N2和H2。第一各向异性刻蚀工艺对有机填充层的蚀刻速度较快，第二各向异性刻蚀工艺对有机填充层的蚀刻较为缓和，使有机填充层始终保护鳍式场效应晶体管的重掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种导电插塞的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍式场效应晶体管、刻蚀停止层和层间介质层，所述刻蚀停止层覆盖所述鳍式场效应晶体管，所述层间介质层覆盖所述刻蚀停止层；在所述层间介质层中形成第一接触孔，所述第一接触孔暴露所述鳍式场效应晶体管的重掺杂区；在所述第一接触孔中形成有机填充层，所述有机填充层同时覆盖所述层间介质层；在所述有机填充层上形成图案化的掩膜层，所述掩膜层具有位于所述鳍式场效应晶体管栅区上方的第一开口，所述第一开口同时部分位于所述重掺杂区上方；采用第一各向异性刻蚀工艺和第二各向异性刻蚀工艺沿所述第一开口蚀刻所述填充层，直至形成暴露所述层间介质层的凹槽，所述第一各向异性刻蚀工艺采用的反应气体包括CO2，所述第二各向异性刻蚀工艺采用的反应气体包括N2和H2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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