[发明专利]硅深刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种硅深刻蚀方法，包括以下步骤：采用各向同性刻蚀硅片，控制硅槽的顶部开口为预设的刻蚀形貌；通过聚合物沉积，在硅槽的内壁形成聚合物保护层；采用各向异性刻蚀硅槽的底部的聚合物保护层，将硅槽的底部的聚合物保护层刻蚀干净；采用各向异性刻蚀硅槽的底部，直至硅槽的深度为所需深度。其通过增加聚合物沉积，在硅槽的内壁形成聚合物保护层的工艺，在对硅槽的底部的聚合物保护层进行刻蚀过程中，有选择的保护了硅槽的顶部开口形貌，最终在对硅片刻蚀后，获得了圆滑的顶部，陡直的侧壁，以及顶部和底部光滑的硅槽形貌，有效地解决了现有的硅深刻蚀工艺无法得到更为圆滑的硅槽的顶部开口形貌的问题。

主权项

1.一种硅深刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S100，采用各向同性刻蚀硅片，控制硅槽的顶部开口为预设的刻蚀形貌，其中采用的刻蚀气体为含F较多的气体；还包括通入氧气的步骤，以及通入Ar、N2、He中的一种或几种气体作为载气的步骤；其中，所述氧气的流量比值小于或等于20％；所述采用各向同性刻蚀硅片时的上电极功率为300—5000W，下电极功率为0—50W；S200，通过聚合物沉积，在所述硅槽的内壁形成聚合物保护层；其中，所述聚合物沉积的上电极功率为300—500W，下电极功率为0—50W；S300，采用各向异性刻蚀所述硅槽的底部的聚合物保护层，将所述硅槽的底部的聚合物保护层刻蚀干净；其中，所述采用各向异性刻蚀所述硅槽的底部的聚合物保护层时的上电极功率为300—5000W，下电极功率为10—200W；S400，采用各向异性刻蚀所述硅槽的底部，直至所述硅槽的深度为所需深度，其中，所述采用各向异性刻蚀所述硅槽的底部时的上电极功率为300—5000W，下电极功率为10—200W。