[发明专利]互连结构的形成方法

摘要

一种互连结构的形成方法，包括提供基底，所述基底具有第一区域和第二区域，第一区域和第二区域具有重合的第三区域；在第三区域的层间介质层表面形成具有叠层结构的掩膜层；以掩膜层为掩膜，采用第一刻蚀工艺，在第一区域的层间介质层内形成第一接触通孔；在第一接触通孔底部和侧壁形成金属层；在第一接触通孔底部形成第一金属硅化物层；采用第二刻蚀工艺，去除部分厚度的掩膜层；以掩膜层为掩膜，采用第三刻蚀工艺，在第二区域的层间介质层内形成第二接触通孔；形成填充满第一接触通孔和第二接触通孔的导电层。本发明中形成第一接触通孔的掩膜层部分被用于形成第二接触通孔的掩膜层，减少了形成掩膜层的工艺步骤，优化了互连结构的形成工艺。

主权项

一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底和层间介质层，所述基底具有第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域具有重合的第三区域，且所述第二区域的层间介质层内形成有栅极结构；在所述第三区域的层间介质层表面形成具有叠层结构的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，采用第一刻蚀工艺，刻蚀位于掩膜层两侧的第一区域的层间介质层，直至暴露出衬底表面，在第一区域的层间介质层内形成第一接触通孔；在所述第一接触通孔底部和侧壁形成金属层；对所述金属层进行硅化处理，在第一接触通孔底部形成第一金属硅化物层；采用第二刻蚀工艺，去除未进行硅化处理的金属层，同时去除部分厚度的掩膜层；以剩余的掩膜层为掩膜，采用第三刻蚀工艺，刻蚀位于剩余的掩膜层两侧的第二区域的层间介质层，直至暴露出栅极结构的顶部，在第二区域的层间介质层内形成第二接触通孔；形成填充满所述第一接触通孔和第二接触通孔的导电层。