[发明专利]一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明属于太阳能光伏电池技术领域，特别涉及一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池及其制备方法；所述薄膜太阳能电池包括衬底，衬底上依次是背电极、p型半导体微米/纳米二级阵列、n型半导体层、窗口层和金属栅格电极。本发明应用化学浴沉积技术在Cu2S微米/纳米二级阵列的基础上，制备出微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池的吸收层，制备方法简单，相比于需要高真空条件或者高温条件制备吸收层的方法，该技术具有成本较低，对设备要求不高，反应物容易得到，制备温度较低，反应条件易控制、可以方便地进行大面积应用等优点。

主权项

一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池，其特征在于，所述薄膜太阳能电池包括衬底，衬底上依次是背电极、p型半导体微米/纳米二级阵列、n型半导体层、窗口层和金属栅格电极；所述p型半导体微米/纳米二级阵列是在Cu2S微米/纳米二级阵列的表层沉积铜、铟、镓、硒元素中的一种或者几种，再经过硒化或硫化后得到；Cu2S微米/纳米二级阵列包括微米级的Cu2S球冠，和生长在Cu2S球冠表面的纳米级的Cu2S纳米线；其中，Cu2S纳米线的直径为10‑500nm，长度为100nm‑500μm；Cu2S球冠的直径为0.5‑100μm，Cu2S球冠之间的间隔为0.01‑100μm。