[发明专利]一种半导体金属氧化物的原位合成方法有效
| 申请号： | 201310746845.0 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752188B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 邹德春;傅永平;彭鸣;于潇;蔡欣;简蓉 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;C01G23/053;C01G19/02;C01G33/00;C01B3/04 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体金属氧化物的原位合成方法，包括：在基底上涂覆一层液态金属醇化物M(OR)y或其溶液或TiCl4，置于空气中10秒以上，形成水解层；再将其置于高温热台上，在高于400℃温度下，在空气中煅烧2分钟以上，即得到半导体金属氧化物，其中，M代表金属元素，R代表烷基单元，OR代表醇根阴离子；再通过30‑60分钟的退火（退火温度400‑500℃），即可以得到结晶性良好的半导体氧化物。相比于同体系的纳米颗粒材料，本发明制备的半导体金属氧化物结晶性更高，载流子迁移率更大。合成的材料非常有望在染料敏化太阳能电池、光解水制氢、光降解有机污染物及锂离子电池等领域得到广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 金属 氧化物 原位 合成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体金属氧化物的原位合成方法，包括如下步骤：(1)在基底上涂覆一层液态金属醇化物M(OR)y或者金属醇化物M(OR)y溶液或者TiCl4，然后将所述基底置于空气中10秒以上形成水解层，其中，M代表金属元素，R代表烷基单元，OR代表醇根阴离子，y的取值范围是4‑5；(2)将步骤(1)中所述基底置于高温热台上，在高于400℃温度下，在空气中煅烧2分钟以上，即得到半导体金属氧化物；(3)将步骤(2)中所述的半导体金属氧化物在400‑500℃温度下，退火30～60min，即得到结晶性良好的半导体金属氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
