[发明专利]掉电记忆电路的掉电记忆方法及掉电记忆电路有效

专利信息
申请号: 201310747197.0 申请日: 2013-12-30
公开(公告)号: CN103746679B 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 房振;王强 申请(专利权)人: 美的集团股份有限公司;佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287 代理人: 胡海国
地址: 528311 广东省佛山市顺德区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种掉电记忆电路的掉电记忆方法,包括通过设置供电电容和电压检测电容;在掉电记忆电路掉电时,IC芯片检测电压检测电容的电压以在低功耗模式和正常模式进行切换。由于本发明方法通过供电电容向IC芯片供电,并使IC芯片向电压检测电容供电并检测电压检测电容的电压以在低功耗模式和正常模式之间切换来延长供电电容的放电时间,从而可以在掉电记忆电路掉电时延长IC芯片保存工作参数的时间。
搜索关键词: 掉电 记忆 电路 方法
【主权项】:
一种掉电记忆电路的掉电记忆方法,其特征在于,包括:S1,设置供电电容,用于在掉电记忆电路掉电时向IC芯片供电;S2,设置电压检测电容,用于在掉电记忆电路掉电时由IC芯片进行电压检测;S3,在掉电记忆电路掉电时,IC芯片检测电压检测电容的电压并与设定的低功耗电压进行比较,IC芯片在检测到电压检测电容的电压低于低功耗电压时切换为低功耗模式,然后IC芯片检测电压检测电容的电压并与设定的激活电压进行比较;S4,IC芯片在检测到电压检测电容的电压高于激活电压时切换为正常模式,并执行步骤S3,否则仍使IC芯片处低功耗模式直至IC芯片复位。
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