[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310747387.2 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103915499B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;C.坎彭;A.迈泽 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 王岳,胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括晶体管，晶体管被形成在具有第一主表面的半导体衬底中。晶体管包括沟道区，被掺杂为具有第一导电类型的掺杂剂；源极区，漏极区，源极和漏极区被掺杂为具有不同于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂；漏极延伸区和邻近沟道区的栅极电极。沟道区被设置在脊的第一部分中。漏极延伸区被设置在脊的第二部分中，并且包括被掺杂为具有第一导电类型的芯部。漏极延伸区进一步包括被掺杂为具有第二导电类型的覆盖部分，覆盖部分邻近脊的第二部分的至少一个或两个侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括晶体管，所述晶体管被形成在具有第一主表面的半导体衬底中，所述晶体管包括：沟道区，被掺杂有具有第一导电类型的掺杂剂；源极区，被掺杂有具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂；漏极区，被掺杂有具有所述第二导电类型的掺杂剂；漏极延伸区；邻近所述沟道区的栅极电极；所述沟道区被设置在脊的第一部分中，所述漏极延伸区被设置在所述脊的第二部分中，所述漏极延伸区包括被掺杂为具有所述第一导电类型的芯部，所述漏极延伸区进一步包括被掺杂为具有所述第二导电类型的覆盖部分，所述覆盖部分邻近所述脊的第二部分的至少一个或两个侧壁，其中所述晶体管还包括：场板，被设置得邻近所述漏极延伸区；和场电介质，被设置在所述漏极延伸区的所述覆盖部分和所述场板之间。
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