[发明专利]一种太阳能扩散选择性发射极的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310748311.1 申请日: 2013-12-31
公开(公告)号: CN103700730A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 秦广飞;金保华;燕飞;汪文渊;王鹏;张建亮 申请(专利权)人: 秦广飞
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 张贵宾
地址: 274300 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及太阳能电池领域,特别涉及一种太阳能扩散选择性发射极的制备方法。本发明包含以下步骤:首先对硅片进行激光制绒处理;然后在制绒后的硅片表面电极栅线网状区域中印刷高浓度磷浆;再在充满POCL3的氛围中进行短时间扩散,先通3-5min的携源气体,关闭气源后再继续进行扩散;印刷磷浆的区域形成高参杂深扩散区,未印刷磷浆的区域形成低参杂浅扩散区,选择性发射极制成。在技术上,高掺杂区做电极时可较容易形成欧姆接触且体电阻小,从而减低串联电阻,提高填充因子FF,还可以减少复合,增加光生载流子的收集,从而提高Isc,在生产中,相对于现行工业化生产,由于在快速扩散中扩散时间短,总热耗少,也可进一步的降低工艺成本。
搜索关键词: 一种 太阳能 扩散 选择性 发射极 制备 方法
【主权项】:
一种太阳能扩散选择性发射极的制备方法,包含以下步骤:首先对硅片进行激光制绒处理;然后在制绒后的硅片表面电极栅线网状区域中印刷高浓度磷浆;再在充满POCL3的氛围中进行短时间扩散,先通3‑5min的携源气体,关闭气源后再继续进行扩散;印刷磷浆的区域形成高参杂深扩散区,未印刷磷浆的区域形成低参杂浅扩散区,选择性发射极制成。
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