[发明专利]一种太阳能扩散选择性发射极的制备方法无效
申请号: | 201310748311.1 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103700730A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 秦广飞;金保华;燕飞;汪文渊;王鹏;张建亮 | 申请(专利权)人: | 秦广飞 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 张贵宾 |
地址: | 274300 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池领域,特别涉及一种太阳能扩散选择性发射极的制备方法。本发明包含以下步骤:首先对硅片进行激光制绒处理;然后在制绒后的硅片表面电极栅线网状区域中印刷高浓度磷浆;再在充满POCL3的氛围中进行短时间扩散,先通3-5min的携源气体,关闭气源后再继续进行扩散;印刷磷浆的区域形成高参杂深扩散区,未印刷磷浆的区域形成低参杂浅扩散区,选择性发射极制成。在技术上,高掺杂区做电极时可较容易形成欧姆接触且体电阻小,从而减低串联电阻,提高填充因子FF,还可以减少复合,增加光生载流子的收集,从而提高Isc,在生产中,相对于现行工业化生产,由于在快速扩散中扩散时间短,总热耗少,也可进一步的降低工艺成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能 扩散 选择性 发射极 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能扩散选择性发射极的制备方法,包含以下步骤:首先对硅片进行激光制绒处理;然后在制绒后的硅片表面电极栅线网状区域中印刷高浓度磷浆;再在充满POCL3的氛围中进行短时间扩散,先通3‑5min的携源气体,关闭气源后再继续进行扩散;印刷磷浆的区域形成高参杂深扩散区,未印刷磷浆的区域形成低参杂浅扩散区,选择性发射极制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的